专利号：201510778898X

本发明公开了一种非晶碳薄膜材料的低温制备方法，该方法包括以下步骤：（1）单晶硅片的清洗；（2）以硅烷和氨气为反应气体采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅片上沉积氮化硅薄膜；（3）以甲烷为反应气体采用等离子体增强化学气相沉积技术在（2）中的氮化硅薄膜上沉积非晶碳薄膜。经过上述步骤所制备的非晶碳薄膜具有工艺简单、沉积温度低、能耗少、成本低、碳膜均匀性好以及大面积制备等优点。